2007~ 至今   工作在光电技术研究院

微波器件、二维晶体管、建模

(1) Cai, Fei, Guangsheng Deng, Xiangxiang Li, and Fujiang Lin. Contact Resistance Parallel Model for Edge-Contacted 2D Material Back-Gate FET. Electronics 9, no. 12 (2020): 2110.

(2)蔡斐，刘世中，谢东成等.基于高K值衬底材料的黑磷背栅晶体管[J]. 固体电子学研究与进展,36(6), pp 501-505,2016